Die Memphis Electronic AG, ein internationaler Distributor von Speicherkomponenten und Hersteller von Industriespeichermodulen, bringt erstmals eigene Speicher-ICs auf den Markt. Ab sofort sind zwei neue Produkt-Reihen im Portfolio des Speicherspezialisten, ein 1 Gigabit (Gbit) DDR1 sowie ein 2 Gbit DDR2-IC. DDR-Speicher mit diesen Kapazitäten werden derzeit nur noch von wenigen Herstellern angeboten oder sind sehr begrenzt verfügbar. Die neuen ICs von Memphis bieten Geräte-Herstellern eine attraktive Alternative für ihr Produktdesign. Damit wird der Spezialdistributor, der bereits Produkte von mehr als 20 Speicher¬herstellern im Programm hat, selbst zum Anbieter von eigenen Memory-ICs. Die neuen Produkte sind bereits in Mustern über Memphis Electronic erhältlich und werden auf der electronica 2010 in Halle A5, Stand 339 einem breiten Publikum vorgestellt. \r\n
Bad Homburg, 6. Oktober 2010. Die Memphis Electronic AG, ein internationaler Distributor von Speicherkomponenten und Hersteller von Industriespeichermodulen, bringt erstmals eigene Speicher-ICs auf den Markt. Ab sofort sind zwei neue Produkt-Reihen im Portfolio des Speicherspezialisten, ein 1 Gigabit (Gbit) DDR1 sowie ein 2 Gbit DDR2-IC. DDR-Speicher mit diesen Kapazitäten werden derzeit nur noch von wenigen Herstellern angeboten oder sind sehr begrenzt verfügbar. Die neuen ICs von Memphis bieten Geräte-Herstellern eine attraktive Alternative für ihr Produktdesign. Damit wird der Spezialdistributor, der bereits Produkte von mehr als 20 Speicher¬herstellern im Programm hat, selbst zum Anbieter von eigenen Memory-ICs. Die neuen Produkte sind bereits in Mustern über Memphis Electronic erhältlich und werden auf der electronica 2010 in Halle A5, Stand 339 einem breiten Publikum vorgestellt.
Mit den neuen Produkten positioniert sich Memphis Electronic als Anbieter von Nischen-Speicherprodukten im Highend-Segment sowie für auslaufende Produkte. Marco Mezger, Vorstand Sales und Marketing bei Memphis Electronic, erläutert den Schritt wie folgt: "Die Kernkompetenz von Memphis besteht darin, für jedes Design den passenden Speicherbaustein anzubieten. Leistungsfähigkeit ist dabei ebenso ein Kriterium wie Preis und langfristige Verfügbarkeit. Mit unseren Neuentwicklungen reagieren wir auf die Nachfrage unserer Kunden nach Komponenten, die entweder nur von einem Hersteller im Markt angeboten werden oder bereits abgekündigt wurden." Damit gibt Memphis seinen Kunden mehr Flexibilität im Design und Planbarkeit für den gesamten Produktlebenszyklus.
Die neuen Produkte im Überblick
Der 2,5 Volt DDR1 Baustein ist in einem 66 Pin TSOP-Gehäuse untergebracht und verfügt über eine Speicherkapazität von 1 Gbit. Damit verdoppelt Memphis die bisher gängige Kapazität von 512 Mbit. Der neue DDR1 richtet sich besonders an Industrie-Computer, die eine hohe Speicherdichte auf kleinem Raum benötigen ebenso wie zum Beispiel hochwertige Telekommunikations-Server für den Mobilfunk. Der DDR1 mit einer Busbreite von 16 Bit ist ab sofort verfügbar. Eine zweite Variante mit 8 Bit ist voraussichtlich ab Dezember 2010 erhältlich. Darüber hinaus arbeitet Memphis an einer Version, die den industriellen Temperaturbereich von -40 bis +85°C abdeckt.
Bei den DDR2 Speicher-ICs legt Memphis mit seinen neuen 2 Gbit-ICs die Messlatte ebenfalls hoch an. Der DDR2 ist ein monolithischer Chip mit einer Versorgungsspannung von 1,8 Volt und für eine Gehäusetemperatur (Tcase) von bis zu 95 Grad Celsius ausgelegt. Der IC ist ab sofort in einer Busbreite von 4, 8 und 16 Bit erhältlich und eignet sich damit für die unterschiedlichsten Anwendungen: von IPTV- und diversen Consumer-Geräten, über Server und Raid-Speicher bis hin zu Industrieanwendungen. Die 4 und 8 Bit ICs sind in einem 10,5 x 11,5 mm 60-Ball-FBGA-Gehäuse untergebracht. Etwas größer ist das 16 Bit-Modell mit 10,5 x 12,5 mm in einem 84-Ball-FBGA-Gehäuse.
Der Baustein ist standardmäßig mit bis zu 400MHz (800MHz Datenrate) bei einer CAS-Latency von 5 taktbar und entspricht damit selbst den höchsten Geschwindigkeits¬anforderungen im Markt. Bis Ende des Jahres wird das DRAM auf eine Datenrate von 1066MHz bei CL7 optimiert. Darüber hinaus plant Memphis, eine Version mit erweitertem Temperaturbereich von -40 bis +95°C Tcase zu qualifizieren. Eine Automotive-Version mit noch höheren Temperaturen ist für 2011 geplant.
Ausblick auf Neuerunge
"Mit der hohen Kapazität auf kleinem Raum eignet sich der IC auch ideal für Speicher-module. Entsprechende Lösungen wird Memphis bereits zur Electronica 2010 vorstellen." erklärt Marco Mezger.
Auf Basis des neuen 2GBit Bausteins ist auch eine 4GBit DDP (Dual-Die-Package) Version in Planung. Mit diesen 2GBit und den folgenden 4GBit DDP Speichern wird Memphis auch seine Modulserie ausbauen. Durch die hohe Speicherdichte pro DRAM lassen sich Servermodule und Industriespeicher wie Registered DIMMs, Fully Buffered DIMMs, SO-RDIMMs und Mini RDIMMs, aber auch normale Standard DIMMs und SO-DIMMs in besonders hoher Speicherkapazität anfertigen.
Über Memphis Electronic AG
Die Memphis Electronic AG wurde 1991 als Distributor von Speichermodulen gegründet. Aufgrund der steigenden Nachfrage nach Speicher-ICs entwicklete und produzierte Memphis zunächst eigene Memory-Module. Später erweiterte das Unternehmen seine Geschäfte auf die Distribution der direkt bei den IC-Herstellern erworbenen Produkte. Memphis Electronic unterhält Niederlassungen und Logistikzentren in Bad Homburg,Barcelona, Moskau, Houston, Boston,Hong Kong und Singapur. Als Spezialdistributor für Speicherprodukte kann die Memphis Electronic AG Kunden entsprechend der aktuellen Marktlage die passenden Produkte anbieten. Weitere Informationen finden Sie unter www.memphis.ag
Pressekontakt:
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