PortalDerWirtschaft.de



Suchmaschinenoptimierung mit PdW
mit Content-Marketing - Ihre News
English

Fujitsu stellt neue SPI FRAMs in 0,18-µm-Technologie vor


Von Fujitsu Semiconductor Europe GmbH

Fujitsu stellt neue SPI FRAMs in 0,18-µm-Technologie vor
Thumb Fujitsu Semiconductor Europe beliefert ihre Kunden inzwischen mit Mustern des neuen SPI FRAMs in 0,18-µm-Technologie und nähert sich damit dem Ende des Migrations-Prozesses von der 0,35- zur 0,18µm-Technologie. Die branchenführende FRAM-Performance ist jetzt in E²PROM-kompatiblen Bauformen verfügbar. FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) kombiniert die hohe Schreibgeschwindigkeit von SRAMs mit nichtflüchtigem Flash in einem Produkt. Die neue SPI-FRAM-Familie umfasst 3 Typen: MB85RS256A, MB85RS128A und MB85RS64A mit Speicherdichten von 256 Kbit, 128 Kbit und 64 Kbit. Alle Bausteine arbeiten in einem Spannungsbereich von 3,0 bis 3,6V und sind für 10 Milliarden Schreib-/Lesezyklen und eine Datenerhaltung über 10 Jahre bei 55°C ausgelegt. Die Betriebsfrequenz wurde signifikant auf max. 25 MHz erhöht, und da FRAM-Produkte für den Schreibvorgang keine Ladungspumpe benötigen, eignen sie sich auch sehr gut für Strom sparende Anwendungen. Die Produkte werden im 8-Pin-Kunststoff-SOP-Gehäuse mit Standard-Pin-Belegung angeboten und sind somit vollständig kompatibel mit E²PROM-Bausteinen. Da sich bei Fujitsu die Design- und Produktionskompetenz im eigenen Haus befindet, ist die optimale Zusammenarbeit zwischen Entwicklung und Fertigung sichergestellt und bildet die Basis für ein Produkt höchster Qualität und stabiler Lieferkette. Außer der SPI-FRAM-Familie bietet Fujitsu auch FRAM-Bausteine mit I²C und Parallel-Interfaces. Die Speicherdichten reichen von 16 Kbit bis 4 Mbit. Fujitsu beabsichtigt zudem den weiteren Ausbau des FRAM-Portfolios. FRAM-Speicherbausteine sind sehr verbreitet in Anwendungen wie Zählern, der Mess- und Automatisierungstechnik sowie in verschiedenen industriellen Marktsegmenten, in denen Daten-Logging, schnelle Schreibzugriffe und hohe Lebensdauer ausschlaggebend sind. FRAMs können in idealer Weise alle batteriegepufferten Lösungen ersetzen und den Kunden umweltfreundliche Produkte ermöglichen. Fujitsu Semiconductor Europe GmbH Rainer Reitz Pittlerstr. 47 63225 Langen 06103-6900 http://emea.fujitsu.com/semiconductor rainer.reitz@de.fujitsu.com Pressekontakt: JDK Marketing Communications John Kearley The Oasts, Charmans Farm / Beggars Lane TN16 1 Westerham, Kent john@jdk.co.uk +44 (0) 1959 562 772 http://www.jdk.co.uk/


Kommentare

Bewerten Sie diesen Artikel
Bewertung dieser Pressemitteilung 5 Bewertung dieser Pressemitteilung 2 Bewertungen bisher (Durchschnitt: 4)
Hinweis Für den Inhalt der Pressemitteilung ist der Einsteller, John Kearley, verantwortlich.

Pressemitteilungstext: 264 Wörter, 2315 Zeichen. Artikel reklamieren
Keywords
Diese Pressemitteilung wurde erstellt, um bei Google besser gefunden zu werden.

Tragen Sie jetzt Ihre kostenlose Pressemitteilung ein!