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Renesas Electronics Announces Establishment of a Subsidiary and Implementation of Absorption-Type Separations to Reorganize its High-Power Amplifier Business

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Renesas Electronics Corporation ("Renesas", TSE: 6723), a premier supplier of advanced semiconductor solutions, has been in detailed review to reorganize its high-power amplifier (HPA) business, and the company today announced that, under the approval...

Tokyo, Japan, 31.10.2011 - Renesas Electronics Corporation ("Renesas", TSE: 6723), a premier supplier of advanced semiconductor solutions, has been in detailed review to reorganize its high-power amplifier (HPA) business, and the company today announced that, under the approval of Renesas' Board of Directors, it will transfer Renesas' management operation of the land, building, and other assets relevant to the HPA business at its manufacturing site, the Nagano Device Division (Komoro, Nagano) of Renesas Eastern Japan Semiconductor, Inc. ("Renesas Eastern Japan Semiconductor"), a wholly owned subsidiary of Renesas, to Renesas' new wholly owned subsidiary, Renesas Komoro Semiconductor, Inc. ("Renesas Komoro Semiconductor"), which is scheduled to be established in November 2011, through a simple absorption-type separation (Kanni-kyushu-bunkatsu, the "first corporate separation") on February 1, 2012.

Renesas also announced today that Renesas Eastern Japan Semiconductor, under the approval of its Board of Directors, will transfer its business operation of the Nagano Device Division to Renesas Komoro Semiconductor through an absorption-type separation (Kyushu-bunkatsu, the "second corporate separation"). The second corporate separation is scheduled to be completed on February 1, 2012.

To view the complete release please click here: http://www.renesas.eu/press/news/2000/news20111031a.jsp


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