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Fairchild Semiconductor |

Generation III XSTM DrMOS Familie von Fairchild Semiconductor bietet den Entwicklern von Stromversorgungen höchsten Wirkungsgrad, bessere Leistungsdichte und spart zudem Leiterplattenfläche

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Die 60A Multi-Chip-Modul Familie ermöglicht Designern, die strengen Energieeffizienz-Standards einzuhalten


Die Kombination von neuen Energiestandards und erweiterten Systemspezifikationen bei Blade Servern, Hochleistungs-Notebooks, Spielkonsolen und POL-Modulen erfordert immer höhere Wirkungsgrade, Ströme, Schaltfrequenzen und Leistungsdichten. Speziell im...

Fürstenfeldbruck, 16.04.2012 - Die Kombination von neuen Energiestandards und erweiterten Systemspezifikationen bei Blade Servern, Hochleistungs-Notebooks, Spielkonsolen und POL-Modulen erfordert immer höhere Wirkungsgrade, Ströme, Schaltfrequenzen und Leistungsdichten. Speziell im Hinblick auf diese Industrietrends hat Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) die Multichip-Module (MCM) der Familie FDMF68xx Gen III DrMOS entwickelt.

Die FDMF68xx Serie reduziert die Anzahl der erforderlichen Induktivitäten und Ausgangskondensatoren und spart so im Vergleich zu konventionellen diskreten Lösungen bis zu 50 Prozent Leiterplattenfläche. Damit lassen sich ein höherer Wirkungsgrad erreichen und die neuen Energiestandards erfüllen. Durch den Einsatz der leistungsfähigen PowerTrench®-MOSFET-Technologie von Fairchild reduziert die FDMF68xx Serie unkontrolliertes Schwingen, so dass in den meisten Abwärtswandler-Anwendungen keine Snubber-Schaltung benötigt wird.

Die Gen III DrMOS MCM-Familie unterstützt sowohl 3,3V als auch 5V Tri-State-PWM-Eingangsspannungen digitaler und analoger PWM-Controller. Durch eine 30V-Option lassen sich die DrMOS Bauteile auch in der Leistungselektronik von Notebooks oder einem UltraBookTM einsetzen. Die Schaltfrequenz von über 1MHz ermöglicht einen besseren Wirkungsgrad, einen höheren maximalen Laststrom und eine größere Leistungsdichte, so dass die Gen III DrMOS Serie die einschlägigen Effizienzstandards erfüllt. Das 6 x 6 mm2 große PQFN-Gehäuse erlaubt Ströme von bis zu 60 A pro Phase. Weitere Informationen und Muster sind erhältlich unter:

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820A.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820B.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820C.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823A.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823B.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823C.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6833C.html

Funktionen und Vorteile:

- 93 % bei Spitzenstrom und 91 % bei 30 A, 500 kHz Frequenz. 12VIN, 1VOUT

- 90 % bei Spitzenstrom und 88 % bei 30 A, 1 MHz Frequenz. 12VIN, 1VOUT

- Hoher Maximalstrom: 60 A @ 100°C TJ

- Betrieb mit einer Schaltfrequenz von bis zu 1,5 MHz

- Typische Designs benötigen keine Wärmesenke

Preis: US-Dollar ab 1.000 Stück

FDMF6820A : $2,41

FDMF6820B : $1,86

FDMF6820C : $1,60

FDMF6823A : $2,41

FDMF6823B : $1,86

FDMF6823C : $1,60

FDMF6833C : $1,60

Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage erhältlich.

Lieferzeit: 8-12 Wochen

Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.

Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.


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