NXP hat größte Auswahl an Automotive-qualifizierten Dual-Power-SO8-MOSFETs

Eindhoven, Niederlande, 02.10.2012 - NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) hat die Einführung seiner LFPAK56D-Familie bekannt gegeben - einer leistungsfähigen Modellreihe von Dual-Power-SO8-MOSFETs, die speziell für den Einsatz in Automotive-Anwendungen wie Kraftstoffeinspritzungen, ABS-Systemen und Stabilitätskontrollen entwickelt wurde. Alle LFPAK56D-MOSFETs sind vollständig AEC-Q101-qualifiziert und bieten beste Leistung und Zuverlässigkeit ihrer Klasse. Darüber hinaus besitzen sie verglichen mit entsprechenden DPAK-Lösungen, die typischerweise zwei separate Komponenten erfordern, eine um 77 % kleinere Gehäusefläche. Die LFPAK56D-Familie befindet sich bereits in der Serienfertigung und ist sofort verfügbar.

Die LFPAK56D-Bauteile kombinieren zwei vollständig voneinander isolierte MOSFETS in einem gemeinsamen Gehäuse und erfüllen damit die strengen Anforderungen der Automobilindustrie. Mit ihrer branchenweit größten Auswahl an RDson-Werten in fünf Spannungsklassen bieten sie beste Werte bei Leistung, Strombelastbarkeit und Zuverlässigkeit.

Für die spezifischen Applikations- und Steuergeräteanforderungen bietet das umfangreiche Portfolio der neuen Dual-Power-SO8 MOSFET-Familie dem Kunden vielfältige Möglichkeiten in der Auswahl des am besten geeigneten Produktes, wodurch wesentlich höhere Leistungsdichten erzielt werden können.

Eine Schaltungsentwicklung mit LFPAK56D-Gehäuse bietet durch eine einfachere Leiterplattenbestückung, unkompliziertere Prüfprozesse und kleinere Leiterplattengrößen entscheidende Kostenvorteile. Kompaktere elektronische Steuergeräte (ECU) bedeuten auch eine beträchtliche Gewichtsersparnis, die insbesondere für Hersteller mit spezifischen CO2-Reduktionszielen besonders attraktiv ist.

Basierend auf dem besonderem Know-how von NXP bei LFPAK56s - den branchenweit ersten, vollständig AEC-Q101-qualifizierten Power-SO8-Gehäusen - führt das Unternehmen die dort zum Einsatz kommende, besonders zuverlässige "Copper Clip"-Bondingtechnologie jetzt auch bei seinen Dual- Power-SO8-MOSFETs in LFPAK56D-Gehäusen ein. Diese Technologie ist die Grundlage für die besonderen Vorteile des LFPAK56D bei Gehäusewiderstand, Induktivität und hohen maximalen Drainströmen ID.

Dazu kommentierte Steve Sellick, Business Development Manager, Automotive MOSFETs, NXP Semiconductors: "Die neuen LFPAK56D-Gehäuse werden nach unserer Überzeugung einen neuen Branchenstandard für Automotive-MOSFETs setzen. Mit diesem kann der OEM die Effizienz seiner damit entwickelten Systeme steigern und gleichzeitig durch kleinere, noch kompaktere Produkte nachhaltige Kosteneinsparungen realisieren. Unser Automotive-qualifiziertes Power-SO8-MOSFET-Portfolio ist das branchenweit umfangreichste dieser Art und bietet unseren Kunden damit die größte Auswahl bei der Realisierung sicherheitskritischer Automotive-Anwendungen."

Hauptmerkmale

- Dual-Power-SO8-MOSFET

- 77 % kleinere Gehäusefläche als vergleichbare DPAK-Lösung

- Kein Drahtbonden dank eingesetzter Copper-Clip-Technologie

- Hoher maximaler Drainstrom ID

- Niedriger Gehäusewiderstand und geringe Induktivität

- Geringer thermischer Widerstand

- Hohe Robustheit gegenüber auftretenden Übergangsströmen (transienten Strömen)

- Automotive-AEC-Q101-qualifiziert bis 175 °C

Links

- NXPs Power-MOSFET-Portfolio LFPADK56D: http://www.nxp.com/LFPAK56D

- Vollständige Übersicht über alle NXP-MOSFETs: http://www.nxp.com/mosfets

Forward-looking Statements

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