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1-MBit- und 2-MBit-SPI-FRAMs mit mehr als 10 Billionen garantierten Schreib-Lese-Zyklen

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Optimiert für industrielle Anwendungen, Smart Metering und medizinische Geräte


Eine hohe Speicherdichte von 1 MBit bzw. 2 MBit zeichnet die beiden ab sofort bei MSC erhältlichen FRAMs MB85RS1MT und MB85RS2MT von Fujitsu aus. Mit 10 Billionen (10¹³) garantierten Schreib-Lese-Zyklen und einer im Vergleich mit EEPROMs gleicher Speicherdichte...

Stutensee, 26.03.2013 - Eine hohe Speicherdichte von 1 MBit bzw. 2 MBit zeichnet die beiden ab sofort bei MSC erhältlichen FRAMs MB85RS1MT und MB85RS2MT von Fujitsu aus. Mit 10 Billionen (10¹³) garantierten Schreib-Lese-Zyklen und einer im Vergleich mit EEPROMs gleicher Speicherdichte um 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen sind die beiden neuen ferroelektrischem RAMs ideal für Anwendungen wie Smart Metering, industrielle Applikationen und medizinische Geräte wie z.B. Hörgeräte geeignet.

Typischerweise bestehen Systeme aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die neuen FRAMs bündeln die Funktionen dieser Technologien auf einem Chip und ermöglichen so erhebliche Einsparungen bei den Bauteilekosten, beim Platzbedarf und beim Energieverbrauch. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit.

Auch in industriellen Applikationen, in denen bislang SRAMs und EEPROMs parallel zum Speichern von Daten bzw. Parametern eingesetzt werden, profitieren Anwender in mehrfacher Hinsicht von der vereinfachten Systemarchitektur, die der Einsatz von FRAMs mit sich bringt. Das Fehlerrisiko im Feldeinsatz wird minimiert, der Platzbedarf auf dem PCB reduziert. Zudem sinkt der Wartungsaufwand, da der Batteriewechsel entfällt.

Muster der FRAMs MB85RS1MT und MB85RS2MT werden ab Ende März 2013 zur Verfügung stehen.


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