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Neue SPI 2 Mbit FRAM Bausteine von Fujitsu

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Mit hoher Speicherdichte und niedriger Spannung besonders für Smart Meter, Industriemaschinen und medizinische Anwendungen geeignet


Der neue ab sofort über MSC zu beziehende SPI 2Mbit FRAM Baustein von Fujitsu zeichnet sich insbesondere durch eine hohe Speicherdichte und niedrige Spannung aus. Die schnelle SPI Schnittstelle verbessert die Energieeffizienz und vereinfacht die Systemarchitektur....

Stutensee, 25.06.2013 - Der neue ab sofort über MSC zu beziehende SPI 2Mbit FRAM Baustein von Fujitsu zeichnet sich insbesondere durch eine hohe Speicherdichte und niedrige Spannung aus. Die schnelle SPI Schnittstelle verbessert die Energieeffizienz und vereinfacht die Systemarchitektur. Mit 10 Billionen (10¹³) garantierten Schreib-Lese-Zyklen ist das Produkt ideal für Anwendungen wie Smart Meter, industrielle und medizinische Geräte. Verglichen mit einem EEPROM gleicher Speicherdichte bietet der MB85RS2MT eine 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen.

Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit. Mit 2Mbit Speicherdichte haben die neuen Bausteine die bisher höchste Kapazität der von Fujitsu angebotenen SPI FRAM Produkte. Durch die Single-Chip Lösung, die alle vom System geforderten Technologien (EEPROM, SRAM und Batterie) vereinigt, sind erhebliche Einsparungen bei den Bauteilekosten möglich. Zudem verringert sich der Platzbedarf als auch der Energieverbrauch. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Energieeffizienz und ein reduzierter Wartungsaufwand.

Engineering Samples sind ab sofort verfügbar und die Massenproduktion beginnt ab Oktober 2013.

Weitere Informationen zum neuen SPI 2Mbit FRAM unter: memories-fujitsu@msc-ge.com


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