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Neues von setron: Neuer Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter TSP10U45S von Taiwan Semiconductor

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Taiwan Semiconductor stellt einen neuen Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter vor. Durch die patentierte Trench MOS Barrier Technologie bietet der Gleichrichter eine hervorragende Hochtemperaturstabilität, seine niedrige Verlustleistung führt zu einem...

Braunschweig, 31.10.2013 - Taiwan Semiconductor stellt einen neuen Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter vor. Durch die patentierte Trench MOS Barrier Technologie bietet der Gleichrichter eine hervorragende Hochtemperaturstabilität, seine niedrige Verlustleistung führt zu einem hohen Wirkungsgrad. Das neue Bauteil weist eine niedrige Durchlassspannung von 0,42 V bei einem Strom von 10 A, eine Sperrspannung von 45 V sowie einen maximalen Dauerstrom von 10 A auf. Darüber hinaus zeichnet der Gleichrichter sich durch eine hohe Durchlassfestigkeit aus. Aufgrund seines RoHS-konformen und halogenfreien TO-277A(SMPC) SMD-Gehäuses eignet er sich insbesondere für eine automatisierte Bestückung. Das im Gussverfahren gefertigte Kunststoffgehäuse erfüllt die Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Norm und die matten verzinnten Anschlüsse sind nach JESD22-B102 lötbar.

Der TSP10U45S kann in DC/DC Niedrigspannungs-Hochfrequenzwandlern, als Freilaufdiode sowie in Verpolungsschutz-Anwendungen eingesetzt werden.


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