Fürstenfeldbruck - 22. April 2010 - Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) und Infineon Technologies haben bei ihren Leistungs-MOSFETs in MLP 3x3 (Power33TM und S3O8) und PowerStage 3x3 Gehäuse eine Zusammenarbeit im Bereich der Gehäusetechnologie vereinbart.
Die Kompatibilitätsvereinbarung soll eine höhere Versorgungssicherheit gewährleisten und zudem DC-DC-Wandler mit höchstem Wirkungsgrad und thermischer Leistungsfähigkeit ermöglichen. Die beiden Unternehmen profitieren dabei von ihren Erfahrungen bei asymmetrischen, zweifachen und einzelnen MOSFETs für DC-DC-Anwendungen von 3A bis 20A.
"Fairchild und Infineon haben das Pin-out standardisiert und die jeweiligen Leistungsstufen ergänzt, so dass für energieeffiziente Designs in Computer-, Telekommunikations- und Server-Anwendungen nun zwei Bezugsquellen zur Verfügung stehen", sagt John Bendel, Senior Vice President Low Voltage Products von Fairchild. "Durch diese Gehäuseanpassung sind die leistungsfähigen Produkte nun in einem Standardgehäuse von mehreren Anbietern erhältlich."
"Die Standardisierung der Leistungsgehäuse bringt unseren Kunden den Vorteil, dass die Anzahl der 'individuellen' Gehäusetypen am Markt minimiert wird, wobei sich unsere Lösungen gegenüber den bisherigen Generationen durch eine höhere Leistung bei einem kleineren Formfaktor auszeichnen", fügt Richard Kuncic, Director und Product Line Manager Low Voltage MOSFETs bei Infineon Technology, hinzu.
Über Infineon:
Infineon Technologies AG mit Hauptsitz in Neubiberg/Deutschland bietet Halbleiter- und Systemlösungen für drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft an: Energieeffizienz, Kommunikation und Sicherheit. Im Geschäftsjahr 2009 (mit Ende im September) erreichte das Unternehmen mit weltweit etwa 25.650 Mitarbeitern einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Infineon ist mit Niederlassungen in Milpitas/CA in den USA, Singapur in der Asien-Pazifik Region und Tokio in Japan weltweit vertreten. Infineon ist an der Börse Frankfurt (Ticker Symbol: IFX) und in den USA am außerbörslichen Markt OTCQX International Premier (Ticker Symbol: IFNNY) gelistet. Weitere Informationen sind verfügbar unter: www.infineon.com.
Diese Presseinformation ist online verfügbar unter: www.infineon.com/press/.
Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13
http://www.fairchildsemi.com/
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Iris Reitmeier
Prinzregentenstr. 79
81675
München
fairchild.eu@lucyturpin.com
089-417761-18
http://www.lucyturpin.com
X